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OBSOLETE
IXFR30N110P
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
ISOPLUS247 (IXFR) Outline
g fs
C iss
C oss
C rss
R Gi
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
V DS = 20V, I D = 15A, Note 1
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
Gate input resistance
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 15A
R G = 1 Ω (External)
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 15A
15
25
13.6
795
70
1.50
50
48
83
52
235
102
79
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
R thJC
0.39 ° C /W
R thCS
0.15
° C /W
Source-Drain Diode
T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
I S
I SM
V SD
V GS = 0V
Repetitive, pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0V, Note 1
30
120
1.5
A
A
V
t rr
Q RM
I RM
I F = 20A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 100V, V GS = 0V
1.8
13
300 ns
μ C
A
Note 1: Pulse test, t ≤ 300 μ s; duty cycle, d ≤ 2%.
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or moreof the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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